specification:
8Mx16bitsx4banks => AxBxC
A:有8M個儲存單元 8*1024*1024
B:每個儲存單元的容量，也就是SDRAM的位寬
C:L-banks
P-banks:physical bank等同於CPU數據總線的位寬
L-banks:logical bank 下圖 就為一個L-bank的簡圖
內存的尋址流程示意圖：這是一個8×8的陣列，B代表L-Bank地址編號，C代表列地址編號，R代表行地址編號。尋址的流程就是先指定L-Bank地 址，再指定行地址，然後指定列地址，從而確定最終的存儲單元，比如尋址命令是B1、R2、C6，根據尋址流程就可以確定存儲位置即為圖中的黑格(參考SDRAMinfo)
sdram setting
1.row addressbits
2.column address bits
3.internal sdram banks
4.all timing categories.
(tWR:寫入/校正時間,這個操作也被稱作寫回（Write Back）,
tRP:相同L-bank中不同行轉換的速度,
CL:列詢址到數據真的被讀取所花的時間,
tRCD :行詢址至列詢址之間的間隔,
tRAS:行有效至預充電命令間隔周期)
at K4M51163PC-R(B)E/G/C/F mobile SDRAM:三爽牌
64ms refresh period(8k cycle)
pxa270 clock is 104M hz="A"hz
so the refresh time is :64ms/8192="B"s
B/(1/A)=BxA=C==>DRI(SDRAM Refresh interval for All partitions)約等於800上下
8Mx16bitsx4banks => AxBxC
A:有8M個儲存單元 8*1024*1024
B:每個儲存單元的容量，也就是SDRAM的位寬
C:L-banks
P-banks:physical bank等同於CPU數據總線的位寬
L-banks:logical bank 下圖 就為一個L-bank的簡圖
內存的尋址流程示意圖：這是一個8×8的陣列，B代表L-Bank地址編號，C代表列地址編號，R代表行地址編號。尋址的流程就是先指定L-Bank地 址，再指定行地址，然後指定列地址，從而確定最終的存儲單元，比如尋址命令是B1、R2、C6，根據尋址流程就可以確定存儲位置即為圖中的黑格(參考SDRAMinfo)
sdram setting
1.row addressbits
2.column address bits
3.internal sdram banks
4.all timing categories.
(tWR:寫入/校正時間,這個操作也被稱作寫回（Write Back）,
tRP:相同L-bank中不同行轉換的速度,
CL:列詢址到數據真的被讀取所花的時間,
tRCD :行詢址至列詢址之間的間隔,
tRAS:行有效至預充電命令間隔周期)
at K4M51163PC-R(B)E/G/C/F mobile SDRAM:三爽牌
64ms refresh period(8k cycle)
pxa270 clock is 104M hz="A"hz
so the refresh time is :64ms/8192="B"s
B/(1/A)=BxA=C==>DRI(SDRAM Refresh interval for All partitions)約等於800上下